Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 GB (NAND), 8 Gbit (DRAM LPDDR3)Tamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Partes y Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No Volátil, Volátil
La tecnología:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR
-Tensión de alimentación:1,8 V, 3,3 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC 5.1 HS400+LPDDR3
