Componente Electrónico de Memoria 100 LBGA IS21ES08GA-JQLI-TR en Existencia
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NAND (MLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
8G por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
64 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos en Línea
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (MLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
8G por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
64 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
eMMC
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 999 unidades
EUR 441
≥ 1,000 unidades
EUR 318
Variantes
ElegirEspecificación
IS21ES08GA JQLI TRADUCIR
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