Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Organización de la memoria:128K por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
