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Módulo de Diodo Láser CWDM DFB de 1270-1610nm, 2-5mW, Coaxial, con Conector FC APC para Sistemas CATV y WDM

Sin reseñas9 vendido/s
EUR2482-3294
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
Características
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1.000 unidades)

Características principales

Tipo de montaje

otro

Número de pieza del fabricante

BLD-Cxx05B-IFA

Marca

BOX

Descripción

Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP

Tipo

Otro

Lugar del origen

Guangdong, China

De un vistazo

  • Rango de longitud de onda 1270-1610nm: El amplio rango de longitud de onda de 1270-1610nm asegura la compatibilidad con diversos sistemas CWDM y WDM, proporcionando flexibilidad en el diseño de la red.

  • Aislador óptico integrado: El aislador óptico integrado mejora la estabilidad y el rendimiento del módulo de diodo láser al prevenir las reflexiones inversas y garantizar la transmisión unidireccional de luz.

  • Alta relación de supresión de modo lateral: Una alta relación de supresión de modo lateral (SMSR) de 40dB o más asegura una señal más limpia y estable, reduciendo la interferencia y mejorando el rendimiento general del sistema.

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4 pagos sin intereses con

Características clave

Tipo de montaje
otro
Número de pieza del fabricante
BLD-Cxx05B-IFA
Marca
BOX
Descripción
Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP
Tipo
Otro
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo de paquete
Otro
Paquete / Carcasa
otro
Uso
Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tensión de paso máx.
DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V
Voltaje inverso máx.
DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2
Corriente directa máx.
2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA
Corriente inversa máx.
≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)
Tipo de diodo
DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / Fotoavalancha
La tecnología
InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD
Tensión inversa de pico (máx.)
Igual que "Voltaje Máximo Inverso"
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo
Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
2V, Monitor PD: 15V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA
Velocidad
Grado estándar de producción en masa industrial
Capacitancia Vr F
No aplicable
Corriente - Máx.
Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)
Resistencia @ si F
APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Disipación de potencia (Max)
Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W
Capacitancia relación
No aplicable
Configuración
Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana
Potencia máxima
otro
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Tipo de producto
Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda
DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm
Potencia óptica
2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW
Aplicación
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico
Característica clave
Alta SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad
Embalaje
TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento
DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃
Tensión directa
DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A
Monitor de PD
Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)
Corriente máxima
LD: 100-120mA / APD: 10mA

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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