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Componentes de Memoria Electrónicos Originales 134 VFBGA AS4C32M32MD2A-25BIN

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Organización de la memoria:32M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos en Línea
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR2 móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Organización de la memoria
32M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1 - 3000 unidades
EUR 347
>= 3001 unidades
EUR 174

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