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Componentes Electrónicos de Memoria VFBGA 134, Canal del Fabricante W97AH2NBVA2E

Sin reseñas
EUR158
1,000-4,999 unidades
EUR150
5,000-9,999 unidades
EUR143
≥10,000 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

W97AH2NBVA2E

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
W97AH2NBVA2E
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
134-VFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - Móvil LPDDR2-S4B
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
400 MHz
Organización de la memoria
32M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
HSUL_12
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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