Componentes de Memoria 153 WFBGA THGJFJT1E45BATP, Circuito Integrado Electrónico BOM, en Existencia
Sin reseñas







Atributos
Componente y PiezaTipo
2 terabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuitos Integrados (IC)Características
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,4 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:2,32 GHz
Organización de la memoria:256G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Sistema Único de Fisuras 4.0
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 terabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
Flash - NAND
-Tensión de alimentación
2,4 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj
2,32 GHz
Organización de la memoria
256G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Sistema Único de Fisuras 4.0
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Devolución fácil
1 - 3,000 unidades
EUR 3470
>= 3,001 unidades
EUR 1735
Variantes
ElegirEspecificación
THGJFJT1E45BATP
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
4 pagos sin intereses con
Protección de pedidos de Alibaba.com
Pagos seguros
Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS
Devoluciones fáciles
Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles
Garantía de devolución de dinero
Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Componentes de Memoria 153 WFBGA THGJFJT1E45BATP, Circuito Integrado Electrónico BOM, en Existencia












