Módulo Láser DFB CWDM de 1650nm con TEC, Salida de 2mW, Pigtail Coaxial, Aislador Integrado para CATV y WDM
Sin reseñas
Atributos
OtroTipo
otroPotencia máxima
Grado estándar de producción en masa industrialVelocidad
OtroTipo de paquete
otroTipo de montaje
DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / FotoavalanchaTipo de diodo
Configuración:Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana
La tecnología:InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD
Uso:Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P
Los medios disponibles:Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor:Nuevo original en stock
Descripción:Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP
Número de pieza del fabricante:BLD-D65002H-IFA
Marca:BOX
Lugar del origen:Guangdong, China
Paquete / Carcasa:otro
Tensión de paso máx.:DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V
Voltaje inverso máx.:DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2
Corriente directa máx.:2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA
Corriente inversa máx.:≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)
Tensión inversa de pico (máx.):Igual que "Voltaje Máximo Inverso"
Actual promedio rectificado (Io):Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo:Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):2V, Monitor PD: 15V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA
Capacitancia Vr F:No aplicable
Corriente - Máx.:Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)
Resistencia @ si F:APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Disipación de potencia (Max):Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W
Capacitancia relación:No aplicable
Impedancia (Max) (Zzt):otro
Tipo de producto:Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda:DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm
Potencia óptica:2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW
Aplicación:Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico
Característica clave:Alta SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad
Embalaje:TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento:DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃
Tensión directa:DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A
Monitor de PD:Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)
Corriente máxima:LD: 100-120mA / APD: 10mA
Características clave
Tipo
Otro
Potencia máxima
otro
Velocidad
Grado estándar de producción en masa industrial
Tipo de paquete
Otro
Tipo de montaje
otro
Tipo de diodo
DFB Diodo Láser / FP Diodo Láser / Fotoavalancha
Configuración
Hermetico TO56/TO-CAN, ventana plana
La tecnología
InAlGaAs DFB sin refrigeración / GaAs FP / InGaAs APD
Uso
Telecomunicaciones, Comunicaciones de Datos, SAN / Indicación, Lápiz Óptico, P
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Descripción
Tecnología de fabricación de láseres DFB de semiconductores basados en InP
Número de pieza del fabricante
BLD-D65002H-IFA
Marca
BOX
Lugar del origen
Guangdong, China
Paquete / Carcasa
otro
Tensión de paso máx.
DFB: 1.5V; FP: 2.5V; 10G DFB: 1.5V
Voltaje inverso máx.
DFB(LD):2V; (PD):15V; FP:2V; APD:30V; 10G DFB: LD2
Corriente directa máx.
2.5G DFB: 120mA; FP: 105mA; APD: 10mA; 10G DFB: 100mA
Corriente inversa máx.
≤100nA; Corriente oscura del APD: 0.5nA (Máx.)
Tensión inversa de pico (máx.)
Igual que "Voltaje Máximo Inverso"
Actual promedio rectificado (Io)
Corriente de funcionamiento típica del láser: 50-65 mA
Configuración de diodo
Chip láser DFB con fotodiodo de monitoreo InGaAs integrado
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
2V, Monitor PD: 15V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
Corriente de funcionamiento del diodo láser ~50mA
Capacitancia Vr F
No aplicable
Corriente - Máx.
Chip DFB con PD/FP LD integrado (PD opcional)
Resistencia @ si F
APD: 0.6pF (Típ.)@5V, 1MHz
Disipación de potencia (Max)
Calculado: DFB<0.3W, FP<0.2W
Capacitancia relación
No aplicable
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Tipo de producto
Láser DFB de 2.5G/10G / Láser FP de 650nm / Módulo APD Coaxial
Longitud de onda
DFB: 1270-1610nm / FP: 650nm / APD: 1100-1650nm
Potencia óptica
2.5G DFB: 5mW / 10G DFB: 2-2.5mW / FP: 5mW
Aplicación
Telecomunicaciones, Comunicación de Datos / Indicación / Receptor Analógico
Característica clave
Alta SMSR / Sin refrigeración / Paquete hermético / Alta fiabilidad
Embalaje
TO56 CAN (DFB) / TO-18 Pigtail (FP) / Coaxial FC/APC
Temperatura de funcionamiento
DFB: -20~85℃ / FP: -10~80℃ / APD: -40~85℃
Tensión directa
DFB: ~1.2V / FP: ~2.1V / APD: N/A
Monitor de PD
Integrado (DFB) / Opcional (FP) / N/A (APD)
Corriente máxima
LD: 100-120mA / APD: 10mA
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Ver detalles
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
EUR10410
Variantes
ElegirCaracterísticas
BLD-D65002H-IFA
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
4 pagos sin intereses con
Protección de pedidos de Alibaba.com
Pagos seguros
Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS
Garantía de devolución de dinero
Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto
Solo los pedidos realizados y pagados a través de Alibaba.com reciben la protección gratuita de
