Memoria Electrónica 200 VFBGA MT53E768M32D4DT-053 WT:E TR, Compre en Línea, Componentes Electrónicos, Lista de Materiales, Circuito Integrado, en Existencia

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5Chips Tech Limited

1 año

HK

Atributos

Componente y PiezaTipo

NuevoCódigo de fecha de fabricación

24 gigabitsTamaño de la memoria

ChinaLugar del origen

Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje

MemoriaAplicación

Características:Componente Electrónico Bom Service

Tipo de memoria:VOLÁTIL

La tecnología:SDRAM - LPDDR4 móvil

-Tensión de alimentación:1,1 V

Frecuencia de reloj:1,866 GHz

Organización de la memoria:768 millones x 32

Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-

Interfaz de Memoria:-

Características clave

Tipo

Componente y Pieza

Código de fecha de fabricación

Nuevo

Tamaño de la memoria

24 gigabits

Lugar del origen

China

Tipo de embajaje

Cinta y Carrete (TR)

Aplicación

Memoria

Características

Componente Electrónico Bom Service

Tipo de memoria

VOLÁTIL

La tecnología

SDRAM - LPDDR4 móvil

-Tensión de alimentación

1,1 V

Frecuencia de reloj

1,866 GHz

Organización de la memoria

768 millones x 32

Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página

-

Interfaz de Memoria

-

Empaque y entrega

Unidades de venta

Artículo individual

Tamaño del paquete

1X1X1 cm

Peso bruto

0.100 kg

Tiempo de entrega

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