





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
64 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:8K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie














