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Módulo DIP 24 DS1220AB-100IND, Chips Electrónicos de Memoria, Componente Original

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:4,75 V ~ 5,25 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:2 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
16 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Kit de Circuitos Integrados
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4,75 V ~ 5,25 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
2 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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