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Módulo de Memoria de 24 DIP DS1220Y-200IND+ Componente Electrónico Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
EUR539
1,000-4,999 unidades
EUR511
5,000-9,999 unidades
EUR486
≥10,000 unidades
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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1220Y-200IND+

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

16Kbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1220Y-200IND+
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
16Kbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Tipo de embajaje
Tubo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 24 pines (0.600", 15.24mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
2K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
200ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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