Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:50 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
