Módulo DIP 28 DS1225Y-150+ Chips Electrónicos de Memoria Componente Distribuidor Autorizado
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Atributos
NVSRAM (SRAM no volátil)La tecnología
No volátilTipo de memoria
8K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
64 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Componente Electrónico
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:150 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
8K por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
64 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico
-Tensión de alimentación
4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
150 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
36 - 3,035 unidades
EUR 648
>= 3,036 unidades
EUR 324
Variantes
ElegirEspecificación
DS1225Y 150+
Envío
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