





Atributos
DS1230Y-150+Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:CI NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Organización de Memoria:32K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:150 nanos














