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Módulo DIP 28 DS1230Y-FIR, Componente Electrónico de Memoria, BOM IC, en Existencia

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
A granel
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4,5 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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