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Atributos

ChinaLugar del origen
TrayTipo de embajaje
Gate DriversAplicación
Ic Electronic ComponentsCaracterísticas
Half BridgeDriven Configuration
IndependentChannel Type
Number of Drivers:2
Gate Type:IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage VIL, VIH:1.65V, 3.85V

Características clave

Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tray
Aplicación
Gate Drivers
Características
Ic Electronic Components
Driven Configuration
Half Bridge
Channel Type
Independent
Number of Drivers
2
Gate Type
IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage VIL, VIH
1.65V, 3.85V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
1 - 3,000 unidades
EUR 2927
>= 3,001 unidades
EUR 1464

Variantes

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Especificación

2CG010BBC12N

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