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Atributos
ChinaLugar del origen
TrayTipo de embajaje
Gate DriversAplicación
Ic Electronic ComponentsCaracterísticas
Half BridgeDriven Configuration
IndependentChannel Type
Number of Drivers:2
Gate Type:IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage VIL, VIH:1.65V, 3.85V
Características clave
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tray
Aplicación
Gate Drivers
Características
Ic Electronic Components
Driven Configuration
Half Bridge
Channel Type
Independent
Number of Drivers
2
Gate Type
IGBT, SiC MOSFET
Logic Voltage VIL, VIH
1.65V, 3.85V
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
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1 - 3,000 unidades
EUR 2927
>= 3,001 unidades
EUR 1464
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2CG010BBC12N
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