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Transistor NPN 2N3055 de 60 V, 15 A y 115 W, TO-3 BJT, de montaje superficial para aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general, con suministro de ODM y agencia

EUR 0.1895
25-99 unidades
EUR 0.1534
100-999 unidades
EUR 0.1444
≥1,000 unidades
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

2N3055

Tipo

Transistor, transistor

Marca

STM

Tipo de paquete

Agujero de labranza

Descripción

Diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general, Transistor NPN de 60 V y 15 A, TO-3 BJT 2N3055

Lugar del origen

Guangdong, China

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Características clave

Número de pieza del fabricante
2N3055
Tipo
Transistor, transistor
Marca
STM
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Descripción
Diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de propósito general, Transistor NPN de 60 V y 15 A, TO-3 BJT 2N3055
Lugar del origen
Guangdong, China
PAQUETE/cubierta
TO-3
Temperatura de funcionamiento
aplicaciones de conmutación y amplificación TRANSISTOR, -65℃~+150℃@(Tj)
Serie
ESTÁNDAR
Código de fecha de fabricación
Más reciente
Uso
Propósito general
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
Referencia cruzada
NJW0302 NJW0281
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Corriente de colector (Ic) (máx.)
15
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
60
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
33.0
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
5@10A,4V
Poder-Max
115W
FET tipo
ESTÁNDAR
Tipo de montaje
Montaje superficial
Número de producto
2N3055
Tiempo de entrega
1-3 días laborables
Servicio
Servicio integral de BOM
Hoja de datos
Contacte, por favor

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
4X3X3 cm
Peso bruto
0.02 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores