Transistor 2N3055, Precio de Transistor MOSFET SMD, Transistor NPN 2N3055, Transistor Bipolar MJ2955, Amplificador de Potencia 2N3055, 60V 15A TO-3
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Atributos
Transistor BipolarTipo
Agujero de labranzaTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
115WPoder-Max
TO-204AA, TO-3PAQUETE/cubierta
Transistor 2N3055Descripción
Número de pieza del fabricante:2N3055
Marca:Malaysia
Lugar del origen:Johor, Malaysia
Serie:Transistor
Corriente de colector (Ic) (máx.):15A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):70V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:3V @ 3.3A, 10A
Corriente de colector de corte (Max):700uA
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:20 @ 4A, 4V
-Frecuencia de transición:2,5 MHz
Resistencia Base (R1):Standa
Resistencia-emisor Base (R2):Standa
FET tipo:Standa
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Standa
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Standa
Rds (Max) @ Id Vgs:Standa
Vgs (th) (Max) @ Id:Standa
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Standa
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Standa
Frecuencia:Standa
Corriente nominal (en amperios):Standa
Ruido:Standa
Potencia de salida:Standa
-Tensión nominal:Standa
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Standa
Vgs (Max):Standa
Tipo IGBT de:Standa
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Standa
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Standa
De entrada:Standa
Termistor NTC:Standa
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Standa
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Standa
Corriente de drenaje (Id).:Standa
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Standa
Resistencia-On (RDS):Standa
Tensión de salida-salida:Standa
-Tensión Offset (Vt):Standa
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Standa
Corriente de Valle Iv):Standa
Corriente de pico:Standa
Aplicación:Amplificador de potencia de audio
Tipo de transistor:NPN
Estado libre de plomo/Estado de RoHS:Sin plomo/RoHS obediente
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Ilimitado)
Método de envío:DHL/UPS/Fedex/etc
Características clave
Tipo
Transistor Bipolar
Tipo de paquete
Agujero de labranza
Tipo de montaje
A través del agujero
Poder-Max
115W
PAQUETE/cubierta
TO-204AA, TO-3
Descripción
Transistor 2N3055
Número de pieza del fabricante
2N3055
Marca
Malaysia
Lugar del origen
Johor, Malaysia
Serie
Transistor
Corriente de colector (Ic) (máx.)
15A
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
70V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
3V @ 3.3A, 10A
Corriente de colector de corte (Max)
700uA
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
20 @ 4A, 4V
-Frecuencia de transición
2,5 MHz
Resistencia Base (R1)
Standa
Resistencia-emisor Base (R2)
Standa
FET tipo
Standa
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
Standa
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
Standa
Rds (Max) @ Id Vgs
Standa
Vgs (th) (Max) @ Id
Standa
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
Standa
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
Standa
Frecuencia
Standa
Corriente nominal (en amperios)
Standa
Ruido
Standa
Potencia de salida
Standa
-Tensión nominal
Standa
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
Standa
Vgs (Max)
Standa
Tipo IGBT de
Standa
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
Standa
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
Standa
De entrada
Standa
Termistor NTC
Standa
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
Standa
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
Standa
Corriente de drenaje (Id).
Standa
-Tensión de corte (VGS) @ Id
Standa
Resistencia-On (RDS)
Standa
Tensión de salida-salida
Standa
-Tensión Offset (Vt)
Standa
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
Standa
Corriente de Valle Iv)
Standa
Corriente de pico
Standa
Aplicación
Amplificador de potencia de audio
Tipo de transistor
NPN
Estado libre de plomo/Estado de RoHS
Sin plomo/RoHS obediente
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Ilimitado)
Método de envío
DHL/UPS/Fedex/etc
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EUR 0.4305
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EUR 0.3014
>= 501 unidades
EUR 0.2153
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