Atributos
onsemiMarca
2N7002LT1GNúmero de Modelo
Guangdong, ChinaLugar del origen
Canal N 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)Descripción
Tape & Reel (TR) Cut TapeTipo de embajaje
Por 2N7002LT1GNúmero del producto del fabricante
Fabricante:Onsemi
Descripción:N-CH MOSFET 60V 115MA SOT23-3
Categoría:Productos Semiconductores Discretos Transistores FET, MOSFET
Estado de la pieza:Activo
Tipo de FET:Canal N
Tensión de drenaje a fuente (Vdss):60 V
Corriente-Drenaje continuo (Id) a 25 °C:115mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Rds en (máximo) @ Id, Vgs:7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max):± 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Max):225mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje:Montaje en superficie
Paquete/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
