Atributos
LMUN2211LT1GNúmero de Modelo
Digital transistorsTipo
WLBEMarca
Montaje superficialTipo de paquete
NPN Silicon Bias Resistor Digital transistorsDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:SOT-23
Temperatura de funcionamiento:Null
Serie:Null
d/c:NEW
Uso:Propósito general
Tipo de Proveedor:Fabricante original, ODM
Los medios disponibles:Foto, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos, Other
Corriente de colector (Ic) (máx.):100mA
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):50V
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Null
Corriente de colector de corte (Max):Null
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Null
Poder-Max:246mW
-Frecuencia de transición:Null
Tipo de Montaje:Montaje superficial
Resistencia Base (R1):Null
Resistencia-emisor Base (R2):Null
FET tipo:Null
FET característica:Diodo Schottky (aislado)
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Null
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Null
Rds (Max) @ Id Vgs:Null
Vgs (th) (Max) @ Id:Null
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Null
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Null
Frecuencia:Null
Corriente nominal (en amperios):Null
Ruido:Null
Potencia de salida:Null
-Tensión nominal:Null
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Null
Vgs (Max):Null
Tipo IGBT de:Null
Configuración:Tres inversor de fase
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Null
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Null
De entrada:Null
Termistor NTC:Null
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Null
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Null
Corriente de drenaje (Id).:Null
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Null
Resistencia-On (RDS):Null
Tensión de salida-salida:Null
-Tensión Offset (Vt):Null
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Null
Corriente de Valle Iv):Null
Corriente de pico:Null
Tipo de Transistor:transistor
Tipo de montaje:SMD
Shipping BY:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Payment Ways:TT
Quality:100% Original 100% Brand
Packing:3000 Pcs/plate
