Lugar del origen
Jiangsu, China
Material base
GaInP2/GaAs/GeGe
Tamaño de celda de GaAs
(80.150.05)mm*(40.150.05)mm
Espesor de la celda
0.360.02mm
Área de Celda Activa
30.15c㎡
Peso de la celda de GaAs
(12512)mg/c㎡