Módulo de Fotodiodo InGaAs de 300um, Paquete TO46, Pin B, Ventana Plana para Detección de 1100-1650nm, Alta Respuesta
Sin reseñas
Atributos
Diodo Láser FPTipo
otroPotencia máxima
N/AVelocidad
Carcasa metálica TO-18Tipo de paquete
otroTipo de montaje
Fotodiodo de InGaAsTipo de diodo
Número de pieza del fabricante:BPD-70TO46B-FW
Marca:BOX
Descripción:Módulo de Fotodiodo InGaAs de 1100-1650nm y 70um
Lugar del origen:Guangdong, China
Paquete / Carcasa:Carcasa metálica TO-18
Uso:Receptor óptico analógico; Equipo de prueba
Tipo de Proveedor:Nuevo original en stock
Los medios disponibles:Ficha técnica del producto
Tensión de paso máx.:N/A
Voltaje inverso máx.:N/A
Corriente directa máx.:N/A
Corriente inversa máx.:N/A
La tecnología:N/A
Tensión inversa de pico (máx.):N/A
Actual promedio rectificado (Io):N/A
Configuración de diodo:N/A
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.):N/A
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo):N/A
Tiempo de recuperación inverso (V):N/A
Capacitancia Vr F:N/A
Corriente - Máx.:N/A
Resistencia @ si F:N/A
Disipación de potencia (Max):N/A
Capacitancia relación:No aplicable
Capacitancia relación condición:N/A
Configuración:N/A
Impedancia (Max) (Zzt):otro
Descripción:Fotodiodo de InGaAs
País de origen:China
Paquete:Caja metálica TO-46 con ventana plana
Provincia:Guangdong
Vz:N/A (No es un diodo Zener)
Tolerancia:Estándar
Corriente directa máxima:10 mA
Características clave
Tipo
Diodo Láser FP
Potencia máxima
otro
Velocidad
N/A
Tipo de paquete
Carcasa metálica TO-18
Tipo de montaje
otro
Tipo de diodo
Fotodiodo de InGaAs
Configuración
N/A
La tecnología
N/A
Uso
Receptor óptico analógico; Equipo de prueba
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Descripción
Módulo de Fotodiodo InGaAs de 1100-1650nm y 70um
Número de pieza del fabricante
BPD-70TO46B-FW
Marca
BOX
Lugar del origen
Guangdong, China
Paquete / Carcasa
Carcasa metálica TO-18
Tensión de paso máx.
N/A
Voltaje inverso máx.
N/A
Corriente directa máx.
N/A
Corriente inversa máx.
N/A
Tensión inversa de pico (máx.)
N/A
Actual promedio rectificado (Io)
N/A
Configuración de diodo
N/A
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
N/A
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
N/A
Tiempo de recuperación inverso (V)
N/A
Capacitancia Vr F
N/A
Corriente - Máx.
N/A
Resistencia @ si F
N/A
Disipación de potencia (Max)
N/A
Capacitancia relación
No aplicable
Capacitancia relación condición
N/A
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Descripción
Fotodiodo de InGaAs
Tipo
Fotodiodo / Detector Óptico
País de origen
China
Paquete
Caja metálica TO-46 con ventana plana
Provincia
Guangdong
Vz
N/A (No es un diodo Zener)
Tolerancia
Estándar
Corriente directa máxima
10 mA
Tipo de diodo
Fotodiodo PIN de InGaAs
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tiempo de entrega
Opciones de personalización
Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
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Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
Cantidad mínima de compra: 1 unidad
EUR 521
Variantes
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BPD-70TO46B-FW
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Envío
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