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Principales mercados: Hong Kong S.A.R., Kazajstán, Canadá, Reino Unido, Estados Unidos de América

32 DIP Module Electronics Component Original DS1250Y-100IND+ Memory

Sin reseñas
EUR 66.53
11-3,010 unidades
EUR 33.27
≥3,011 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1250Y-100IND+

Tipo de montaje

Through Hole

Tamaño de la memoria

4Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1250Y-100IND+
Tipo de montaje
Through Hole
Tamaño de la memoria
4Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Tipo de embajaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Serie
-
Tipo de memoria
Non-Volatile
La tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
512K x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100ns
Memory Interface
Parallel
Memory Format
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores