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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, India, Argentina, Líbano

Transistores 4-SMD EPC7014UBSH, Componente Electrónico en Stock

Sin reseñas
EUR14353
100-3,099 unidades
EUR7177
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

EPC7014UBSH

Marca

Original

Descripción

GAN FET HEMT 60V 1A 4UB

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

4-SMD

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

FET característica
-
PAQUETE/cubierta
4-SMD
Descripción
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Número de pieza del fabricante
EPC7014UBSH
Marca
Original
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
e-GaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
580mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 140µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
22 pF @ 30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V
Vgs (Max)
-
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
A granel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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