Componente Electrónico de Memoria 48 TFSOP W29N01HZSINA, Original, Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
128M x 8 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Bandeja
Aplicación:Memoria
Características:Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:25 segundos
Interfaz de Memoria:-
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
128M x 8 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 gigabit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Circuito Integrado IC
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
25 segundos
Interfaz de Memoria
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
96 - 3,095 unidades
EUR 1.32
>= 3,096 unidades
EUR 0.6578
Variantes
ElegirEspecificación
W29N01HZSIN
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