5/5(1)
Calificación de la tienda
≤4h
Tiempo de respuesta
≥100%
Tasa de entregas a tiempo
10%
Tasa de recompra

Principales mercados: Suiza, India, Israel, República de Corea, Estados Unidos de América

Módulo de Fotodiodo InGaAs APD de 50um, 1100-1650nm, Alta Respuesta, Baja Corriente Oscura, para Receptor Óptico Analógico

Sin reseñas
EUR1755
Cantidad mínima de compra: 1 unidad

Características

BAPD-50P10B-FA
Opciones de personalización
Logotipo personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Embalaje personalizado (Pedido mínimo: 1.000 unidades)
Personalización gráfica (Pedido mínimo: 1.000 unidades)

Características principales

Tipo de montaje

otro

Número de pieza del fabricante

BAPD-50P10B-FA

Marca

BOX

Descripción

1100-1650nm 70um InGaAs Photodiode Module

Tipo

Otro

Lugar del origen

Guangdong, China

Envío

Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.

Protección de pedidos de Alibaba.com

Pagos seguros

Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS

Garantía de devolución de dinero

Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto

Finance Service

4 pagos sin intereses con

Características clave

Tipo de montaje
otro
Número de pieza del fabricante
BAPD-50P10B-FA
Marca
BOX
Descripción
1100-1650nm 70um InGaAs Photodiode Module
Tipo
Otro
Lugar del origen
Guangdong, China
Tipo de paquete
Otro
Paquete / Carcasa
otro
Uso
Receptor óptico analógico; Equipo de prueba
Tipo de Proveedor
Nuevo original en stock
Los medios disponibles
Ficha técnica del producto
Tensión de paso máx.
N/A (El fotodiodo funciona bajo polarización inversa)
Voltaje inverso máx.
30 V
Corriente directa máx.
10 mA
Corriente inversa máx.
5 mA
Tipo de diodo
Fotodiodo InGaAs
La tecnología
Estructura de incidencia planar, encapsulado coaxial
Tensión inversa de pico (máx.)
30 V
Actual promedio rectificado (Io)
N/A
Configuración de diodo
Diodo único
Voltaje DC-DC inversa (Vr) (máx.)
30 V
Actual promedio rectificado (Io) (por diodo)
N/A
Velocidad
Grado comercial / Personalizable
Tiempo de recuperación inverso (V)
< 0,3 ns (Tiempo de subida/bajada)
Capacitancia Vr F
0,6 pF (típ.)), 0,75 pF (Máx.)a Vr=5V, f=1MHz
Corriente - Máx.
10 mA (Directo) / 5 mA (Inverso)
Resistencia @ si F
N/A
Disipación de potencia (Max)
Calculado en base a una potencia óptica de 5mW y operación
Capacitancia relación
No aplicable
Capacitancia relación condición
N/A
Configuración
N/A
Potencia máxima
otro
Impedancia (Max) (Zzt)
otro
Descripción
Módulo de Fotodiodo InGaAs de 1100-1650nm y 70um
Tipo/Categoría
Módulo de fotodiodo / detector óptico InGaAs
Rango de longitud de onda
1100 nm a 1650 nm
Responsividad (Típ.)
0,95 A/W a 1550 nm, 0,90 A/W a 1310 nm (Vr=5V)
Corriente oscura (máx.)
0.5 nA @ Vr=5V
Potencia Óptica de Saturación
5 mW (máx.)
Voltaje de funcionamiento
-5 V
Tensión inversa (máx.)
30 V
Tipo de embalaje
Paquete Pigtail / Paquete Receptáculo (Coaxial)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
0 cm³
Peso bruto
0.0 kg

Tiempo de entrega

Opciones de personalización

Logotipo personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Embalaje personalizado(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Personalización gráfica(+ desde /Pedido mínimo: 1,000 unidades)
Ver detalles

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores