





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - Móvil
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:166 megahercios
Organización de la memoria:16M x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo














