60R105F7 IPW60R105CFD7 TO-247 MOSFET
Puntuación de la tienda:
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Atributos
MOSFETTipo
estándarTipo de montaje
EstándarFET característica
estándarConfiguración
TO-247PAQUETE/cubierta
MOSFETDescripción
Número de pieza del fabricante:IPW60R105CFD7
Marca:hkst
Lugar del origen:China
Temperatura de funcionamiento:estándar
Código de fecha de fabricación:NUEVO
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:estándar
Resistencia Base (R1):estándar
Resistencia-emisor Base (R2):estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):estándar
Frecuencia:estándar
Corriente nominal (en amperios):estándar
Ruido:estándar
Potencia de salida:estándar
-Tensión nominal:estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):estándar
Vgs (Max):estándar
Tipo IGBT de:estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:estándar
De entrada:estándar
Termistor NTC:estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):estándar
Corriente de drenaje (Id).:estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:estándar
Resistencia-On (RDS):estándar
Tensión de salida-salida:estándar
-Tensión Offset (Vt):estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):estándar
Corriente de Valle Iv):estándar
Corriente de pico:estándar
Tipo de Transistor:IGBT
Envío por:DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Formas de pago:PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantía comercial
Servicio de lista BOM:Servicios integrales de soporte BOM
Plazo de entrega:1-3 días hábiles
Precio unitario:Contáctanos~
Características clave
Tipo
MOSFET
Tipo de montaje
estándar
FET característica
Estándar
Configuración
estándar
PAQUETE/cubierta
TO-247
Descripción
MOSFET
Número de pieza del fabricante
IPW60R105CFD7
Marca
hkst
Lugar del origen
China
Temperatura de funcionamiento
estándar
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
estándar
Resistencia Base (R1)
estándar
Resistencia-emisor Base (R2)
estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
estándar
Rds (Max) @ Id Vgs
estándar
Vgs (th) (Max) @ Id
estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
estándar
Frecuencia
estándar
Corriente nominal (en amperios)
estándar
Ruido
estándar
Potencia de salida
estándar
-Tensión nominal
estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
estándar
Vgs (Max)
estándar
Tipo IGBT de
estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
estándar
De entrada
estándar
Termistor NTC
estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
estándar
Corriente de drenaje (Id).
estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id
estándar
Resistencia-On (RDS)
estándar
Tensión de salida-salida
estándar
-Tensión Offset (Vt)
estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
estándar
Corriente de Valle Iv)
estándar
Corriente de pico
estándar
Tipo de Transistor
IGBT
Envío por
DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
Formas de pago
PAYPAL \ TT \ VISA \ Garantía comercial
Servicio de lista BOM
Servicios integrales de soporte BOM
Plazo de entrega
1-3 días hábiles
Precio unitario
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