Atributos
75N65Número de Modelo
IGBT TransistorTipo
originalMarca
hacia-247Tipo de paquete
Transistor IGBT de 60A 650VDescripción
originalLugar del origen
PAQUETE/cubierta:hacia-247
Temperatura de funcionamiento:Estándar
Serie:Estándar
d/c:más nuevo
Uso:inversor
Tipo de Proveedor:Minorista
Los medios disponibles:EDA/modelos CAD
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):Estándar
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:Estándar
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:Estándar
Resistencia Base (R1):Estándar
Resistencia-emisor Base (R2):Estándar
Tensión de drenador a fuente (Vdss):Estándar
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:Estándar
Rds (Max) @ Id Vgs:Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:Estándar
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:Estándar
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:Estándar
Corriente nominal (en amperios):Estándar
Ruido:Estándar
Potencia de salida:Estándar
-Tensión nominal:Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Corriente de pico:Estándar
Tipo de montaje:A través del agujero
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:2X1X0.5 cm
Peso bruto:0.004 kg
