Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3
-Tensión de alimentación:1,425 V ~ 1,575 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Organización de la memoria:64M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
