Atributos
7805 icNúmero de Modelo
MOSFET, circuito integradoTipo
OriginalMarca
TO-225Tipo de paquete
EstándarDescripción
Guangdong, ChinaLugar del origen
PAQUETE/cubierta:--
Temperatura de funcionamiento:--
d/c:Nuevo
Uso:Transistor
Tipo de Proveedor:Minorista
Referencia cruzada:P75NF75
Los medios disponibles:Foto
Corriente de colector (Ic) (máx.):--
-Tensión de ruptura colector-emisor (Max):--
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:--
Corriente de colector de corte (Max):--
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:--
Poder-Max:--
-Frecuencia de transición:--
Tipo de Montaje:A través del agujero, estándar
Resistencia Base (R1):--
Resistencia-emisor Base (R2):--
FET tipo:--
FET característica:--
Tensión de drenador a fuente (Vdss):--
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:--
Rds (Max) @ Id Vgs:Estándar
Vgs (th) (Max) @ Id:--
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:--
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):Estándar
Frecuencia:--
Corriente nominal (en amperios):--
Ruido:--
Potencia de salida:--
-Tensión nominal:Estándar
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):Estándar
Vgs (Max):Estándar
Tipo IGBT de:Estándar
Configuración:Estándar
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:Estándar
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:Estándar
De entrada:Estándar
Termistor NTC:Estándar
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):Estándar
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):Estándar
Corriente de drenaje (Id).:Estándar
-Tensión de corte (VGS) @ Id:Estándar
Resistencia-On (RDS):Estándar
Tensión de salida-salida:Estándar
-Tensión Offset (Vt):Estándar
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):Estándar
Corriente de Valle Iv):Estándar
Corriente de pico:Estándar
Tiempo de plomo:0-3 días
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