Componente Electrónico de Memoria 8 DIP 23A1024-I/P Original
Componente Electrónico de Memoria 8 DIP 23A1024-I/P OriginalSin reseñas
Atributos
SRAMLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128K por 8Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
1 MbitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Tubo
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 2,2 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Características clave
La tecnología
SRAM
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128K por 8
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
1 Mbit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 2,2 V
Frecuencia de reloj
20 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruples
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
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Devolución fácil
180 - 3,179 unidades
EUR 1.10
>= 3,180 unidades
EUR 0.5479
Variantes
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23A1024 entrada/salida
Envío
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