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Transistores 8-PowerVDFN BSC072N04LDATMA1, Chips Electrónicos, Componente BOM IC, En Stock

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EUR 1.30
100-3,099 unidades
EUR 0.6587
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

BSC072N04LDATMA1

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerVDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
BSC072N04LDATMA1
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
OptiMOS T2
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
65W (Tc)
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 30µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3990pF @ 20V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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