Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, SDR
-Tensión de alimentación:2,2 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:256K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, SDI, DTR
