





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:1,71 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:54 megahercios
Organización de la memoria:2M por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-














