Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:EEPROM
-Tensión de alimentación:1,8 V ~ 5,5 V
Frecuencia de reloj:2 megahercios
Organización de la memoria:512 por 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:10 milisegundos
Interfaz de Memoria:microalambre
