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Componentes de Memoria 8 WDFN Exposed Pad GD5F2GM7UEWIGY, Componentes Electrónicos BOM IC en Existencia

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Atributos

Componente y PiezaTipo
2 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Componentes ElectrónicosCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:600 micros
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruple, DTR

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
2 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
133 megahercios
Organización de la memoria
256M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
600 micros
Interfaz de Memoria
SPI - E/S cuádruple, DTR

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Devolución fácil
5,700 - 8,699 unidades
EUR 1.49
>= 8,700 unidades
EUR 0.7432

Variantes

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Especificación

GD5F2GM7UEWIG

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