8 WQFN Exposed Pad IC GATE DRVR HALF BRIDGE 8TQFN MAX8791GTA+T Componentes Electrónicos IC en Stock Gestión de Energía (PMIC)
Puntuación de la tienda:
5.0
(2 reseñas)
Atributos
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
Controladores de compuertaAplicación
Circuitos Integrados ElectrónicosCaracterísticas
Medio PuenteConfiguración Impulsada
SincrónicoTipo de Canal
Número de Conductores:2
Tipo de Puerta:MOSFET de Canal N
Voltaje Lógico VIL, VIH:-
Características clave
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Controladores de compuerta
Características
Circuitos Integrados Electrónicos
Configuración Impulsada
Medio Puente
Tipo de Canal
Sincrónico
Número de Conductores
2
Tipo de Puerta
MOSFET de Canal N
Voltaje Lógico VIL, VIH
-
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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2,500 - 5,499 unidades
EUR 0.904
>= 5,500 unidades
EUR 0.4563
Variantes
ElegirEspecificación
MAX8791GTA+T MAX8791GTA+T MAX8791GTA+T
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