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Transistores 9-UFBGA, DSBGA CSD75207W15, Componente Electrónico Original

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CSD75207W15

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

9-UFBGA, DSBGA

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CSD75207W15
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
9-UFBGA, DSBGA
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
NexFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
700mW
FET característica
Puerta de nivel lógico
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
-
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
3.9A
Rds (Max) @ Id Vgs
162mOhm @ 1A, 1.8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
595pF @ 10V
Configuración
2 P-Channel (Dual) Common Source
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales P (Doble) Fuente Común

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores