Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
128 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados (IC)
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - Móvil
-Tensión de alimentación:2,3 V ~ 2,7 V
Frecuencia de reloj:166 megahercios
Organización de la memoria:4M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
