Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - DDR3L
-Tensión de alimentación:1,275 V ~ 1,425 V
Frecuencia de reloj:933 megahercios
Organización de la memoria:512M x 16 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
