AGM-Semi AGM404AP1 Conmutación rápida 40V 46A Transistores MOSFET 28W 4,4 M Carga de puerta baja Paquete PDFN3.3 * 3,3
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4.9
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Atributos
MOSFETTipo
Propósito generalUso
Montaje superficialTipo de paquete
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CADLos medios disponibles
Fabricante original, ODM, Agencia, MinoristaTipo de Proveedor
PDFN3.3 * 3,3PAQUETE/cubierta
Número de pieza del fabricante:AGM404AP1
Marca:AGM-Semi
Descripción:N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Lugar del origen:Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento:-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie:StripFE
Código de fecha de fabricación:Más reciente
Referencia cruzada:Transistor
FET tipo:Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss):40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:46A
Rds (Max) @ Id Vgs:11mOhm @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):3700pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):10V
Vgs (Max):± 20V
Tipo de montaje:A través del agujero
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
Propósito general
Tipo de paquete
Montaje superficial
Los medios disponibles
Hoja de Datos, Foto, EDA/modelos CAD
Tipo de Proveedor
Fabricante original, ODM, Agencia, Minorista
PAQUETE/cubierta
PDFN3.3 * 3,3
Descripción
N 40V 46A 28W 4.4mΩ @ 10V
Número de pieza del fabricante
AGM404AP1
Marca
AGM-Semi
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Serie
StripFE
Código de fecha de fabricación
Más reciente
Referencia cruzada
Transistor
FET tipo
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
46A
Rds (Max) @ Id Vgs
11mOhm @ 40A 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250ua
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700pF @ 25V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
± 20V
Tipo de montaje
A través del agujero
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Artículo individual
Tamaño del paquete
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Peso bruto
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