Transistores MOSFET AGM-Semi AGM404AP1 de Conmutación Rápida, 40V 46A, 28W, 4.4m de Carga de Puerta Baja, Paquete PDFN3.3*3.3
Puntuación de la tienda:
4.9
(35 reseñas)
Atributos
MOSFETTipo
Propósito generalUso
Montaje superficialTipo de paquete
A través del agujeroTipo de montaje
Diodo Schottky (aislado)FET característica
Tres inversor de faseConfiguración
Número de pieza del fabricante:AGM404AP1
Marca:AGM-Semi
Descripción:N 40V 46A 28W 4,4mΩ@10V
Lugar del origen:Guangdong, China
PAQUETE/cubierta:PDFN3.3*3.3
Temperatura de funcionamiento:nulo
Serie:nulo
Código de fecha de fabricación:nulo
Tipo de Proveedor:Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Los medios disponibles:Foto, Otros, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):nulo
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:nulo
Corriente de colector de corte (Max):nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:nulo
Poder-Max:nulo
-Frecuencia de transición:nulo
Resistencia Base (R1):nulo
Resistencia-emisor Base (R2):nulo
FET tipo:nulo
Tensión de drenador a fuente (Vdss):40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:46A
Rds (Max) @ Id Vgs:nulo
Vgs (th) (Max) @ Id:nulo
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds):nulo
Frecuencia:nulo
Corriente nominal (en amperios):nulo
Ruido:nulo
Potencia de salida:nulo
-Tensión nominal:nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):nulo
Vgs (Max):nulo
Tipo IGBT de:nulo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:nulo
De entrada:nulo
Termistor NTC:nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):nulo
Corriente de drenaje (Id).:nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id:nulo
Resistencia-On (RDS):nulo
Tensión de salida-salida:nulo
-Tensión Offset (Vt):nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):nulo
Corriente de Valle Iv):nulo
Corriente de pico:nulo
Tipo de Transistor:transistor
Características clave
Tipo
MOSFET
Uso
Propósito general
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de montaje
A través del agujero
FET característica
Diodo Schottky (aislado)
Configuración
Tres inversor de fase
Los medios disponibles
Foto, Otros, EDA/modelos CAD, Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Minorista, ODM, Fabricante original, Agencia
Poder-Max
nulo
PAQUETE/cubierta
PDFN3.3*3.3
Descripción
N 40V 46A 28W 4,4mΩ@10V
Número de pieza del fabricante
AGM404AP1
Marca
AGM-Semi
Lugar del origen
Guangdong, China
Temperatura de funcionamiento
nulo
Serie
nulo
Código de fecha de fabricación
nulo
Corriente de colector (Ic) (máx.)
nulo
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
nulo
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
nulo
Corriente de colector de corte (Max)
nulo
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
nulo
-Frecuencia de transición
nulo
Resistencia Base (R1)
nulo
Resistencia-emisor Base (R2)
nulo
FET tipo
nulo
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40 voltios
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
46A
Rds (Max) @ Id Vgs
nulo
Vgs (th) (Max) @ Id
nulo
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
nulo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
nulo
Frecuencia
nulo
Corriente nominal (en amperios)
nulo
Ruido
nulo
Potencia de salida
nulo
-Tensión nominal
nulo
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
nulo
Vgs (Max)
nulo
Tipo IGBT de
nulo
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
nulo
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
nulo
De entrada
nulo
Termistor NTC
nulo
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
nulo
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
nulo
Corriente de drenaje (Id).
nulo
-Tensión de corte (VGS) @ Id
nulo
Resistencia-On (RDS)
nulo
Tensión de salida-salida
nulo
-Tensión Offset (Vt)
nulo
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
nulo
Corriente de Valle Iv)
nulo
Corriente de pico
nulo
Tipo de Transistor
transistor
Tipo de montaje
nulo
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Artículo individual
Tamaño del paquete
0.4X0.36X0.1 cm
Peso bruto
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