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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
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Tiempo de respuesta

Memoria RAM IoT DRAM APS25608N-OBR-BD de 256 MB OPI (x8) DDR 200 MHz, 1.8 V, Ind. Temp., BGA24

Sin reseñas
EUR309
1-24 unidades
EUR279
25-99 unidades
EUR267
100-499 unidades
EUR252
≥500 unidades

Cantidad

Características principales

Marca

AP Memory

Número de pieza del fabricante

APS25608N-OBR-BD

Tipo

PSRAM (Pseudo Memoria SRAM)

Tipo de montaje

SMD/SMT de superficie

Velocidad de datos

estándar

Tamaño de la memoria

256 megabits

Envío

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Características clave

Marca
AP Memory
Número de pieza del fabricante
APS25608N-OBR-BD
Tipo
PSRAM (Pseudo Memoria SRAM)
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Velocidad de datos
estándar
Tamaño de la memoria
256 megabits
Lugar del origen
original
Descripción
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz
Tipo de embajaje
Bandeja
Función
estándar
Aplicación
estándar
Temperatura de funcionamiento
-40-85 grados centígrados
PAQUETE/cubierta
BGA-24a
Serie
RAM de IoT
Características
estándar
Referencia cruzada
estándar
Química de la batería
estándar
Tipo de memoria
memoria DRAM
Interfaz de la memoria
estándar
Corriente de alimentación (Max)
estándar
La tecnología
DRAM
-Tensión de alimentación
1,8 voltios
Tipo de expansión
estándar
Autobús direccional
estándar
Frecuencia de reloj
200 megahercios
Organización de la memoria
32X8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
estándar

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
0 cm³
Peso bruto
0.0 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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