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Componente de Memoria Electrónica AS4C32M32MD1-5BIN 90 VFBGA en Stock

Sin reseñas
EUR 0.8114
100-3,099 unidades
EUR 0.4102
≥3,100 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

AS4C32M32MD1-5BIN

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Tamaño de la memoria

1Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 1Gbit paralelo 90FBGA

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
AS4C32M32MD1-5BIN
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tamaño de la memoria
1Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 1Gbit paralelo 90FBGA
Tipo de embajaje
Bandeja
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TJ)
PAQUETE/cubierta
90-VFBGA
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR móvil
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj
200 MHz
Organización de la memoria
32M x 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores