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SRAM 4M 2,7-5,5 V 55ns 512K X 8 Memoria de acceso aleatorio estática asíncrona (SRAM) de la serie 1, 2, V

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ATRIX SEMICONDUCTOR PTE LTD
1 año
SG

Características clave

Marca
original
Número de Modelo
AS6C4008-55PIN
Tipo de relé
ESTÁNDAR
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Lugar del origen
ORIGINAL
Tipo de montaje
NOR Flash
Descripción
SRAM 4M, 2,7-5,5 V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Aplicación
ESTÁNDAR
Tipo
SRAM
Tipo de salida
ESTÁNDAR
Tipo de bobina
ESTÁNDAR
Circuito
ESTÁNDAR
Conector, tipo A
ESTÁNDAR
Tensión de salida-salida
ESTÁNDAR
Contacto, nominal (actual)
ESTÁNDAR
-Tensión de entrada
ESTÁNDAR
Tensión de conmutación
ESTÁNDAR
Corriente de entrada
ESTÁNDAR
Formulario de contacto
ESTÁNDAR
-Tensión de carga
ESTÁNDAR
En el estado de la resistencia (Max)
ESTÁNDAR
Corriente de salida-salida
ESTÁNDAR
Estilo de terminación
ESTÁNDAR
Corriente de carga
ESTÁNDAR
Corriente de la bobina
ESTÁNDAR
Tensión de la bobina
ESTÁNDAR
Serie
Por AS6C4008
Características
ESTÁNDAR
Tipo de memoria
SDR

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Ver más

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

1 - 99 unidades
EUR 526
100 - 1013 unidades
EUR 451
>= 1014 unidades
EUR 430

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