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AT45DB641E-MHN-Y NOR Flash 64 Mbit, Amplio Rango de Tensión de Funcionamiento (1.7V a 3.6V), Modo de Página Binaria de 264 Bytes, DFN 5x6 (Bandeja), DataFlash SPI Único

Sin reseñas
EUR526
1-24 unidades
EUR474
25-49 unidades
EUR463
50-1,139 unidades
EUR382
≥1,140 unidades

Cantidad

Características principales

Marca

Renesas Electronics

Número de pieza del fabricante

AT45DB641E-MHN-Y

Tipo

NOR de Flash

Tipo de montaje

SMD/SMT de superficie

Velocidad de datos

estándar

Tamaño de la memoria

64 megabits

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Características clave

Marca
Renesas Electronics
Número de pieza del fabricante
AT45DB641E-MHN-Y
Tipo
NOR de Flash
Tipo de montaje
SMD/SMT de superficie
Velocidad de datos
estándar
Tamaño de la memoria
64 megabits
Lugar del origen
original
Descripción
Memoria NOR Flash de 64 Mbit, Amplio rango de Vcc (1.7V a 3.6V), Modo de página binaria de 264 bytes, DFN 5x6 (Bandeja), DataFlash SPI único
Tipo de embajaje
Bandeja
Función
estándar
Aplicación
estándar
Temperatura de funcionamiento
- 40°C-+ 85°C
PAQUETE/cubierta
UDFN-8
Serie
AT45DB641E AT45DB641E
Características
estándar
Referencia cruzada
estándar
Tipo de memoria
NOR de Flash
Interfaz de la memoria
conexión SPI
Corriente de alimentación (Max)
22 milíamperos
La tecnología
NOR de Flash
-Tensión de alimentación
1,7 V-3,6 V
Frecuencia de reloj
85 megahercios
Organización de la memoria
8 metros x 8
Arquitectura:
Borrado de Chip

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Un solo volumen
0 cm³
Peso bruto
0.0 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores