Authorized Distributor 6-WFDFN Exposed Pad Transistors Integrated Circuit Ic MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN AON5802BG
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Atributos
Montaje superficialTipo de montaje
FETs, MOSFETsAplicación funcional
AON5802BGNúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
6-WFDFN Exposed PadPackage / Case
Description:MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:2 N-Channel (Dual)
Características clave
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Número de Modelo
AON5802BG
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
6-WFDFN Exposed Pad
Description
MOSFET 2N-CH 30V 10A 6DFN
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5583
>= 3,100 unidades
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AON5802BG
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