Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1,125 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, Asíncrono
-Tensión de alimentación:3,15 V ~ 3,45 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
